北方华创发布无EUV两步循环刻蚀工艺：为3DDRAM自主量产开辟新路径

国产半导体设备龙头企业北方华创近期在学术场合发表两步循环刻蚀工艺成果，可在不使用EUV光刻机的条件下助力3DDRAM推进自主量产，64层堆叠结构均匀度超95%，为国产存储绕开先进光刻壁垒提供全新工艺路径，存储产业链设备环节景气度进一步提升。