三星发布zHBM与BV-NAND：垂直堆叠内存密度达HBM5的10倍

FMS2026未来存储与内存大会上，三星推出业界首款zHBM与zNAND-O概念模型及400+层BV-NAND原型：zHBM将高带宽内存垂直堆叠于AI加速器之上，性能约为下一代HBM5的8倍、密度超10倍、能效提升3倍、热阻降低逾50%，量产目标2029年前后；业界同期联合发布高带宽闪存（HBF）全球首个标准规范。